高应力下干砂与饱和砂单剪特性比较

在自行改造、加工的高应力单剪仪试验系统上,对饱和粗砂、干粗砂、饱和细砂、干细砂与钢材、混凝土界面的剪切特性进行了正交试验研究.经过对试验数据的回归分析发现,高应力单剪条件下的剪应力-剪切位移关系曲线段与双曲线模型较一致.干砂界面的初始剪切刚度和界面抗剪强度均大于同基底下饱和砂界面的值.通过对试验数据的方差分析知,相对于土性和基底材料两影响因素,砂的干湿状态对剪切特性的影响比较显著.     

多管火箭起始扰动控制研究

为解决火箭弹起始扰动对多管火箭射击精度具有重大影响的问题,该文采用通过控制定向管角运动来减小火箭弹起始扰动的方案提高多管火箭射击精度。应用受控多体系统传递矩阵法和发射动力学理论,建立了受控多管火箭发射控制动力学模型,数值仿真获得多管火箭定向管角运动对起始扰动的影响规律及多管火箭定向管角运动的控制规律。该文控制火箭弹起始扰动的方法为提高射击精度提供了手段。     

一类拟线性退化抛物方程的古典解

对拟线性退化抛物方向xxu+uyu-tu=f(.,u),证明在(0,R)×(0,N)×(0,T)上初边值问题解存在唯一性,这里要求N充分小.     

一种基于动态阈值的镀铜表面缺陷检测算法

表面缺陷检测是机器视觉检测领域的一个主要问题,针对版滚镀铜表面缺陷的特点,提出一种动态阈值缺陷检测算法。该算法采用整体结合局部的灰度特征方法、利用缺陷表面与正常表面的差异对镀铜表面进行检测。实验结果表明,该算法能精确的检测出各类缺陷所在位置及其面积大小且速度较快,达到了在线检测的要求。     

基于2D Gabor小波和HSV空间的木材缺陷检测

提出了一种有效的木材缺陷自动检测方法,试图赋予计算机从木材图像数据中自动辨别出缺陷的能力,主要分析了木材缺陷的形态、走向和分布规律.首先将要识别的木材图像变换到HSV色彩空间,分别对H,S和V层进行区域分割和Gabor小波变换,得到各个子图像块的局部区域的基于不同频率和方向的特征向量,用于描述高维的木材图像.接着将提取出的纹理特征归一化后送入SVM分类器,检测过程采用二次循环搜索方式,利用特征向量间的相似度进行缺陷的定位和识别.模拟实验结果表明,该方法可有效识别出缺陷区域,识别效果较好.     

二维正方晶格各向异性光子晶体缺陷模的计算

选择单个模式(TM模),用FDTD方法计算了二维正方晶格各向异性碲圆柱光子晶体的单点缺陷模与多点缺陷模,获得完全禁带中缺陷模频率与点缺陷半径、多点缺陷模半径之间的变化关系,并从理论上给予了解释.     

高校分析测试中心管理和运行初探

国家科技发展的要求,“985”、“211”工程的投入,使各高校分析测试中心面临新的机遇与挑战;新形势下如何应对,使其在学科建设、科学研究、人才培养及高新技术开发等方面发挥重要作用,寻找能够适合测试中心可持续发展的管理和运行模式,是亟待解决的问题。文中结合厦门大学分析测试中心的实际运行经验,在分析测试中心的管理和运行模式以及如何为教学、科研发展和学科建设发挥更大的作用等方面进行探讨。     

接种密度、食物量及温度对萼花臂尾轮虫（Brachionus calyciflorus）种群增长的影响

萼花臂尾轮虫(Brachionus calyciflorus)是淡水仔鱼的理想开口饵料,许多环境因子对其生长繁殖都有影响.研究了不同接种密度、不同食物量、不同温度对萼花臂尾轮虫种群生长的影响.接种密度选择5、15、20、35个/mL等4个梯度;食物量选择每日每百万只1、5、10 g酵母3个梯度;温度选择20、25、30、35 ℃等4个梯度.结果表明:1)利用干酵母培养萼花臂尾轮虫时,接种密度每20个/mL左右为宜:密度过低时,种群很难适应新环境;密度过高时,平均增长率低下;2)每日每百万只5 g酵母比其它食物量更适合萼花臂尾轮虫种群的增殖:食物量过低,生长慢,个体小;食物量过高时,水体污染严重;3)30 ℃萼花臂尾轮虫大量快速增殖:温度低于30 ℃繁殖缓慢;温度高于30 ℃无法生存.     

基于LS-SVM的管道二维漏磁缺陷重构

针对铁磁材料的无损评估中,漏磁信号描述缺陷的几何特征难点,提出了应用支持向量机对二维缺陷重构的新方法,支持向量机输入是漏磁信号,输出是缺陷轮廓数据,建立了由缺陷的漏磁信号到缺陷二维轮廓的映射关系。网络学习采用最小二乘算法,训练样本由实验数据与仿真数据组成,测试样本为人工裂纹缺陷。该方法实现了人工裂纹缺陷的二维轮廓的重构,并与径向基神经网络重构结果进行了比较。试验结果表明,该方法具有速度快、精度高和很好的泛化能力,为漏磁检测定量化提供了一种可行的方法。     

Influence of Al doping on the crystal structure,optical properties,and photodetecting performance of ZnO film

The structural,optical,and electrical properties of undoped and Al-doped ZnO films deposited on p-Si(001)substrate were studied using DC-unbalanced magnetron sputtering.This study is motivated by the absence of detail reports concerning the orbital states inducing the optical bandgap(E_g) blueshift.Besides,the influences of Al on the possible modification of point defect and the photodetecting performance are highlighted to offer guidelines for better development in ZnO-based photodetector.It was found that the Al doping reduced the grain size.The doping increased the lattice parameters and slightly decreased the local-symmetry distortion at ZnO_4.From the absorbance spectra,the doping increased Eg of ZnO film(3.28-3.36 eV),induced by the Burstein-Moss effect.From the density-functional calculation,the Burstein-Moss effect induced E_g from the valence band maximum(VBM) to Fermi level located above the lowest Zn 4s conduction state.From the photoluminescence spectra,the undoped film showed the transitions from O vacancy,Zn interstitial,and free-exciton states to the VBM.The doped film showed the transitions from Zn interstitial to O interstitial and few Zn vacancy states at the cost of O vacancies.Moreover,the energy level of free-exciton states slightly decreased.Notably,O interstitials increased the lattice parameters.From the electrical properties,the doping enhanced the ultraviolet-region photo-to-dark-current ratio up to 3.044 V,leading to the photodetecting sensitivity enhancement.This study emphasizes the significant effect of Al doping on the optical absorbance,point-defect evolution,and photodetecting performance of ZnO film for low-voltage ultraviolet photodetector applications.